ชวนนักวิจัยร่วมแลกเปลี่ยนเอกสารทางเทคนิค
ปักกิ่ง - การประชุม APCSCRM ซึ่งเตรียมจัดขึ้นระหว่างวันที่ 9-12 กรกฎาคม 2018 ขอเชิญชวนผู้เชี่ยวชาญในเอเชียแปซิฟิกมาร่วมเรียนรู้และแลกเปลี่ยนแนวคิดและเทคโนโลยีต่างๆ ที่เกี่ยวข้องกับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบ wide bandgap การเตรียมอุปกรณ์และบรรจุภัณฑ์ และการใช้โมดูลอุปกรณ์ โดยรายนามส่วนหนึ่งของผู้เชี่ยวชาญที่ได้รับเชิญเข้าร่วมการประชุมมีดังนี้
| ลำดับ | ชื่อ | หัวข้อรายงาน |
|
1
|
Manabu ARAI (บริษัท New JRC, ญี่ปุ่น)
|
Comprehensive Review of
Widebandgap Semiconductor Devices
|
|
2
|
Hsien-Chin CHIU (มหาวิทยาลัย
Chang Gung University, ไต้หวัน)
|
Package and Module Development
of Six-inch Silicon-based GaN Power and Microwave Devices
|
|
3
|
Andy CHUANG (บริษัท
Episil Technologies Inc., ไต้หวัน)
|
SiC Foundry Introduction from
Episil
|
|
4
|
Yasuto HIJIKATA (มหาวิทยาลัย Saitama University, ญี่ปุ่น)
|
A Macroscopic Simulation of the
SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model
|
|
5
|
Noriyuki IWAMURO (มหาวิทยาลัย
University of Tsukuba, ญี่ปุ่น)
|
Recent progress of SiC MOSFET
Devices
|
|
6
|
Guoyou LIU (บริษัท
Zhuzhou CRRC Times Electric Co.,Ltd.,
จีน)
|
The Application Prospect of SiC
Devices in Rail Transit
|
|
7
|
Hideharu MATSUURA (มหาวิทยาลัย
Osaka Electro-Communication
University, ญี่ปุ่น)
|
Electrical Characterizationof
Wide Band-Gap Semiconductors Using Hall-effect Measurements
|
|
8
|
Tokuyasu MIZUHARA (บริษัท
ROHM Semiconductor (Shanghai) Co.,
Ltd., ญี่ปุ่น)
|
Market Applications of Power
Devices (SiC) ~ Characteristics and Applications of SiC Power Devices
|
|
9
|
Yufeng QIU (สถาบัน
Global Energy Internet Institute, จีน)
|
The Application of SiC Devices
into Future Power Grid
|
|
10
|
Guosheng SUN (บริษัท
Dongguan Tianyu Semiconductor
Technology Co. Ltd. และสถาบัน Institute
of Semiconductors, CAS, , จีน)
|
Review of Structures and Origins
of Triangular-shaped Defects in 4H-SiC
|
|
11
|
Xuhui WEN (สถาบัน
Institute of Electrical Engineering,
CAS, จีน)
|
Technical Approaches towards
Ultra-high Power Density SiC Inverter in Electric Vehicle Applications
|
|
12
|
Q. Jon ZHANG (มหาวิทยาลัย North Carolina State University, สหรัฐอเมริกา)
|
Current Status and Future
Perspectives of Wide Bandgap Semiconductor Devices and Applications
|
นอกจากนี้ APCSCRM ยังจัดกิจกรรมแลกเปลี่ยนเอกสารทางเทคนิคเกี่ยวกับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบ wide bandgap อุปกรณ์ และการใช้งาน โดยเปิดรับเอกสารจากผู้เชี่ยวชาญทางเทคนิคและผู้ประกอบวิชาชีพในด้านนี้ รวมถึงมหาวิทยาลัย สถาบันวิจัย และองค์กรต่างๆทั้งในและต่างประเทศ
วิธีการส่งเอกสาร
- ส่งร่างเอกสารผ่านทางเว็บไซต์ APCSCRM (ดูวิธีการได้ที่ http://www.apcscrm2018.iawbs.com ใต้หัวข้อ submission)
- ส่งบทคัดย่อภายในวันที่ 30 มิถุนายน 2018
- ส่งเอกสารฉบับสมบูรณ์ภายในวันที่ 31 กรกฎาคม 2018
- กรุณาตรวจสอบสถานะการพิจารณาเอกสาร (ทางระบบส่งเอกสารออนไลน์ของ APCSCRM)
ข้อมูลจาก: พีอาร์นิวส์ไวร์/อินโฟเควสท์
