โตเกียว - Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) ประกาศเปิดตัว “TLP2735” ซึ่งเป็น IC Photocoupler ความเร็วสูง สำหรับใช้งานกับฉนวนสัญญาณดิจิทัลที่ขั้วเกต (Gate Signal Insulation) ในมอสเฟต (MOSFET) นอกจากนี้ยังเป็นตัวแรกของบริษัทที่มีองค์ประกอบของฟังก์ชั่น UVLO (วงจรตัดการทำงานเมื่อแรงดันไฟฟ้าต่ำเกินกำหนด) ได้
UVLO จะทำให้ Photocoupler ลดความไวต่อสัญญาณรบกวนอย่างที่เกิดขึ้นในสายไฟฟ้า พร้อมทั้งป้องกันการทำงานผิดปกติเมื่อมีการเปิดใช้งานผลิตภัณฑ์ นอกจากนี้แรงดันไฟฟ้าขนาด 5kVrms (min) ทั้งขาเข้า (อินพุต) และขาออก (เอาท์พุต) ยังทำงานแยกจากกัน สำหรับ TLP2735 มีมาตรฐานความปลอดภัยเป็นไปตาม IEC60747-5-5[1] จึงเหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการคุณสมบัติฉนวนสูง
ขณะใช้งานนั้น แรงดันไฟฟ้าขาออกจะอยู่ที่ 9-20 โวลต์ โดยมีคุณสมบัติจำเพาะเหมาะสมกับแรงดันไฟฟ้าที่ขั้วเกตมอสเฟต (MOSFET Gate Voltage) ใช้เวลาในการหน่วงสูงสุดอยู่ที่ 100ns ซึ่งนับว่าเร็วทีเดียวสำหรับโฟโตคัปเปลอร์ที่ออกแบบมาเพื่อเป็นฉนวนที่ขั้วเกตของ MOS นอกจากนี้แรงดันไฟฟ้าที่สูงยังทำให้สามารถใช้งานเป็นฉนวนขาเข้าสำหรับ IPM ได้ด้วย
หากเพิ่มวงจรบัฟเฟอร์เข้าไปในขั้นตอนต่อไปของ TLP2735 ก็จะสามารถใช้งานวงจรเกตไดรฟ์ของฉนวนมอสเฟตได้ นอกจากนี้ยังมีอุณภูมิขณะทำงานอยู่ที่ -40- 125oC จึงสามารถใช้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงได้
ทั้งนี้รายงานล่าสุดของ Gartner Market ระบุว่า Toshiba คือผู้นำการผลิต Optocoupler เมื่อพิจารณาจากยอดขายปี 2015 และ 2016 โดยมีส่วนแบ่งทางการตลาดเมื่อพิจารณาจากยอดขายในปี 2016 อยู่ที่ 23% (แหล่งที่มา: รายงาน “ส่วนแบ่งการตลาดสำหรับแอปพลิเคชันและเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลกประจำปี 2016” หรือ Market Share Semiconductor Devices and Applications Worldwide 2016 ของ Gartner ณ วันที่ 30 มี.ค. 2016)
TDSC มุ่งมั่นที่จะพัฒนาผลิตภัณฑ์เพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้าอย่างต่อเนื่อง โดยจะให้ความสำคัญกับการพัฒนาผลิตภัณฑ์ Photocoupler และ Photorelay ที่หลากหลาย เพื่อให้สอดคล้องกับกระแสนิยมของตลาด
การใช้งาน
- ระบบสื่อสารแยกอิสระสำหรับสัญญาณดิจิทัลที่ขั้วเกตมอสเฟต
- การจ่ายไฟที่ควบคุมด้วยระบบดิจิทัล
- อุปกรณ์อัตโนมัติในโรงงาน (IPM ไดรฟ์)
คุณสมบัติ
- ฟังก์ชั่น UVLO พร้อมฮีสเทอรีซีส (Hysteresis)
- อุณภูมิขณะทำงาน Topr (max) = -40 ถึง 125°C
- แพ็กเกจ SO6L ขนาดบาง พร้อมระยะห่างตามผิวฉนวนที่มีความยาว
(สูงสุด 2.3มม. ระยะห่างและระยะห่างตามผิวฉนวนต่ำสุด 8 มม. รองรับการแยกกันแบบเสริมแรง)
คุณสมบัติจำเพาะที่สำคัญ
(@Ta= -40 ถึง 125℃ เว้นเสียแต่จะมีระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
Part
Number | Package |
Creepage
distances min (mm) |
Absolute
maximum ratings |
Isolation
voltage BVS min @Ta=25℃ (kVrms) |
Threshold
input current (H to L) IFLH max (mA) |
UVLO
threshold voltage VUVLO+, VUVLO- typ. (V) |
Propagation
delay time tpHL, tpLH max (ns) |
Common-
mode transient immunity CMH, CML min (kV/μs) | ||||||||
Operating
temperature Topr (℃) | ||||||||||||||||
TLP2735 | SO6L | 8 | -40 to 125 | 5 | 3 | 8.1/7.5 | 100 | 25 | ||||||||
หมายเหตุ:
[1] ความสอดคล้องของ IEC60747-5-5: แรงดันไฟฟ้าอิสระขณะใช้งานสูงสุด
VIORM=1140 Vpeak
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่และผลิตภัณฑ์กลุ่ม Photocoupler สามารถเยี่ยมชมได้ทาง:
ช่องทางการติดต่อสำหรับลูกค้า:
Optoelectronic Device Sales & Marketing Dept.
Tel: +81-3-3457-3431
ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ ซึ่งรวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ ข้อมูลการให้บริการ และข้อมูลสำหรับการติดต่อนั้นเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ เวลาเผยแพร่เอกสารฉบับนี้ โดยอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่จำเป็นต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) เป็นการผสมผสานระหว่างคุณสมบัติที่แข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation เมื่อเดือน ก.ค. 2017 เราได้กลายเป็นบริษัทผู้พัฒนาอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำ และได้ส่งมอบโซลูชั่นอันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในกลุ่มเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD
พนักงาน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะสร้างคุณค่าสูงสุดให้กับผลิตภัณฑ์ เราให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกับลูกค่าเพื่อส่งเสริมการสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน เราต้องการที่จะพัฒนาต่อยอดจากยอดขายประจำปีที่ทะลุ 7 แสนล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ไปแล้ว พร้อมทั้งมีส่วนในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
อ่านข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ทาง https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html