พาวเวอร์ MOSFETs 100V ช่อง N ที่รองรับ 4.5V แรงขับลอจิกเลเวลสำหรับการชาร์จที่เร็วขึ้น (รูปภาพ: บิสิเนส ไวร์)
โตเกียว - บริษัท สตอเรจ แอนด์ อิเล็กทรอนิกส์ ดีไวเซส โซลูชันส์ (Storage & Electronic Devices Solutions Company) ในเครือของโตชิบา คอร์ปอเรชั่น (Tokyo:6502) วันนี้ขยายไลน์อัพของพาวเวอร์ MOSFETs ช่อง N แบบแรงดันต่ำ โดยมีการเพิ่มขึ้นมาขอพาวเวอร์ MOSFETs ช่อง N แบบ 100V ที่รองรับ 4.5V แรงขับลอจิกเลเวลสำหรับการชาร์จที่เร็วขึ้น MOSFETs ใหม่สองตัวของซีรี่ส์ “U-MOS VIII-H Series”, “TPH4R10ANL” และ “TPH6R30ANL” เริ่มส่งออกวันนี้
ด้วยความนิยมและวิวัฒนาการของเครื่องชาร์จที่มีความรวดเร็ว ผลิตภัณฑ์ประสิทธิภาพสูงเป็นที่ต้องการสำหรับพาวเวอร์ MOSFETs ที่ใช้ในวงจรเรียงกระแสไฟฟ้าแบบทุติยะภูมิ MOSTFETs ตัวใหม่นี้ใช้กระบวนการโครงสร้างแบบมีร่องหลุมแรงดันต่ำของโตชิบา เพื่อให้เป็นผู้นำของอุตสาหกรรม[1] ความต้านทานต่ำและประสิทธิภาพความเร็วสูง โครงสร้างลดประสิทธิภาพสำหรับ “RDS(ON) * Qsw” [2] พัฒนาการใช้งานแบบสวิตชิ่ง การสูญเสียเอ้าต์พุตได้รับการพัฒนาโดยการลดเอ้าต์พุตชาร์จ ซึ่งสามารถทำให้เกิดประสิทธิภาพที่สูงขึ้น นอกจากนี้ การที่สามารถรองรับแรงขับ 4.5 V ลอจิกเลเวลได้ทำให้เกิดแรงขับบัฟเฟอร์น้อยจากตัวควบคุม IC ทำให้ลดการใช้พลังงานของระบบ ยิ่งไปกว่านั้น ผลิตภัณฑ์ใหม่ยังสามารถตอบรับกับเอ้าต์พุตสูงและพาวเวอร์ซัพพลายแรงดันไฟที่ใช้ในการใช้งานที่เกี่ยวเนื่องกับ USB 3.0 MOSFETs ใหม่นี้เหมาะสำหรับการใช้งานรวมถึงการชาร์จแบบเร็ว พาวเวอร์ซัพพลายแบบสวิตช์ และ DC-DC คอนเวอร์เตอร์สำหรับเซอร์เวอร์และเครื่องมือสื่อสาร
สเป็คหลักของ MOSFETs รุ่นใหม่
(Unless otherwise specified, Ta=25 ℃)
| ||||||||||||||||||||
| Part Number | Polarity |
Absolute
Maximum Ratings |
Drain-source
On-resistance RDS(ON) max (mΩ) |
Total
Gate Charge Qg typ. (nC) |
Output
Charge Qoss typ. (nC) |
Gate Switch
Charge Qsw typ. (nC) |
Input
Capacitance Ciss typ. (pF) | Package | ||||||||||||
Drain-
source Voltage VDSS (V) |
Drain
Current (DC) ID (A) @Tc = 25℃ |
@VGS=
10 V |
@VGS=
4.5 V | |||||||||||||||||
| TPH6R30ANL | N-ch | 100 | 45 | 6.3 | 10.3 | 55 | 46 | 14 | 3300 |
SOP
Advance | ||||||||||
| TPH4R10ANL | 70 | 4.1 | 6.6 | 75 | 74 | 21 | 4850 | |||||||||||||
・รองรับ 4.5V แรงขับลอจิกเลเวล
・ผลิตภัณฑ์เป็นผู้นำของอุตสาหกรรม[1] รองรับ on-resistance ต่ำและมีประสิทธภาพความเร็วสูง
หมายเหตุ・ผลิตภัณฑ์เป็นผู้นำของอุตสาหกรรม[1] รองรับ on-resistance ต่ำและมีประสิทธภาพความเร็วสูง
| [1] | ในประเภทของผลิตภัณฑ์ที่มีเรตติ้งเดียวกัน ณ วันที่ 11 มกราคม 2017 จากการเซอร์เวย์โดยโตชิบา | |
| [2] | RDS(ON): เดรนซอร์ส ออน-รีซีสแทนซ์ | |
| Qsw: เกตสวิตช์ชาร์จ | ||
ลิ้งค์สำหรับข้อมูลผลิตภัณฑ์ใหม่และไลน์อัพของพาวเวอร์ MOSFET แบบแรงดันต่ำจากโตชิบา https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html
ลูกค้าติดต่อ:
Power Device Sales & Marketing Department
Tel: +81-3-3457-3933
*ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาการบริการและข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับโตชิบา
โตชิบา คอร์ปอเรชั่น หนึ่งในบริษัท Fortune Global 500 นำเสนอผลิตภัณฑ์ไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์อันล้ำสมัย รวมถึงระบบต่างๆ ใน 3 กลุ่มธุรกิจหลัก ได้แก่ พลังงาน (Energy) เพื่อทุกวันของชีวิตที่สะอาดและปลอดภัยขึ้นอย่างยั่งยืน, โครงสร้างพื้นฐาน (Infrastructure) เพื่อคุณภาพชีวิตที่ยั่งยืน และการจัดเก็บข้อมูล (Storage) เพื่อสนับสนุนสังคมแห่งข้อมูลข่าวสารที่ก้าวล้ำ โตชิบาส่งเสริมการดำเนินงานทั่วโลก และสนับสนุนการสร้างสรรค์โลกเพื่อชีวิตที่ดีขึ้นของคนรุ่นต่อๆ ไป ภายใต้รากฐานความมุ่งมั่นของโตชิบา กรุ๊ป ที่ว่า “ความมุ่งมั่นต่อประชากร, ความมุ่งมั่นต่ออนาคต”
โตชิบาก่อตั้งขึ้นในโตเกียวเมื่อปี 1875 และปัจจุบันเป็นศูนย์กลางของกลุ่มบริษัทในเครือกว่า 550 แห่ง ด้วยจำนวนพนักงาน 188,000 คนทั่วโลก และยอดขายต่อปีกว่า 5.6 ล้านล้านเยน (5 หมื่นล้านดอลลาร์สหรัฐ) (ณ วันที่ 31 มีนาคม 2016)
สามารถดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับโตชิบาได้ที่ www.toshiba.co.jp/index.htm
